English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 89629/104830 (85%)
Visitors : 3562559      Online Users : 546
RC Version 6.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version
    ASIA unversity > 資訊學院 > 資訊工程學系 > 博碩士論文 >  Item 310904400/107811


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://asiair.asia.edu.tw/ir/handle/310904400/107811


    Title: 60V高壓LDMOS基於UHV超高壓BCD製程整合之研究
    Authors: 林昀融
    Contributors: 資訊工程學系
    Keywords: 高壓NLDMOS;高壓PLDMOS;BCD製程整合;UHV超高壓元件製程;P型井區
    Date: 2017
    Issue Date: 2017-09-18 11:15:21 (UTC+8)
    Publisher: 亞洲大學
    Abstract: 隨著科技電子產品性能的日益提升,電力需求相對也日漸增加,而電力的使用效率等相關技術也開始慢慢受重視,在各類電子產品中都會有直流轉交流、交流轉直流、直流轉直流或者交流轉交流,而如何能夠更有效率的進行功率轉換以減少功率流失,達到較為節能的效果也成為研究的重點。而在高壓元件中由於國外廠商較早投入研究,對於此類電力電子元件有較多的研究以及專利,國內則是近期才開始進入此領域。
    而製程整合技術(BCD technology)則是三種不同的元件(BIPOLAR-CMOS-DMOS)技術整合在單一個晶片上,由STmicroelectronics在1984年提出,當時的BCD1是基於4μm的60V VDMOS,而至今已經演化至第10代BCD10,也就是目前最火熱的90奈米BCD製程整合技術,本研究則是選用基於0.6μm的BCD5製程整合技術來做探討,業界使用0.6μm製程技術的大多是以6吋及8吋晶圓廠為大宗,因為不需使用到太先進的技術及設備,相對的在成本上也較低,不必耗費大量成本去進行製程技術提升,所以此套製程整合技術可以有效協助中小型功率元件廠做轉型。
    本論文使用TCAD仿真模擬軟體來完成,基於0.6 μm 500V 超高壓元件製程下設計一個60V高壓LDMOS元件,首先因為使用0.6μm製程的隔離製程是使用LOCOS矽局部氧化作為元件之隔離層,隔離氧化層的好壞對於元件的崩潰電壓等特性有著一定程度的影響,故先探討不同的LOCOS隔離製程在使用各種不同的氧化模型吻合矽結果,再加入Poly-Buffered製程減少鳥嘴效應(Bird’s Beak)所佔據的元件面積約40%,再將最佳化後的模型與設計帶入此研究設計的高壓LDMOS元件中。也由於在目前在車用電子元件的需求日益增加,在超高壓元件與高壓元件的整合也逐漸被大家重視,故在本研究中將以500V超高壓元件製程為主,針對元件之離子注入濃度以及設計結構進行微幅調整出60V NLDMOS以及PLDMOS,當成開關或者能源管理元件之應用。本研究之規格參數皆以Fairchild的60V高壓元件為參考基準,在60V高壓NLDMOS較Fairchild的元件崩潰電壓規格多出約13V,在飽和電流也提升了將近100%的性能,在PLDMOS部分因本身就較難發展,但本研究之PLDMOS與Fairchild之元件規格相較之下雖然崩潰電壓相近但依舊在飽和電流提升了100%的性能。故本研究之高壓60V元件可以有效應用在開關或者智慧能源管理…等用途上。
    Appears in Collections:[資訊工程學系] 博碩士論文

    Files in This Item:

    File Description SizeFormat
    index.html0KbHTML33View/Open


    All items in ASIAIR are protected by copyright, with all rights reserved.


    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback