English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 90451/105768 (86%)
Visitors : 11045768      Online Users : 547
RC Version 6.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://asiair.asia.edu.tw/ir/handle/310904400/413


    Title: 800V多場環橫向雙擴散金氧半場效電晶體之設計
    The Design of 800V Multiple Rings LDMOSFET
    Authors: 郭家銘
    Contributors: 資訊工程學系碩士班
    Date: 2009
    Issue Date: 2009-10-09 16:38:38 (UTC+8)
    Publisher: 亞洲大學
    Abstract: 單降低表面電場(Single RESURF) LDMOSFET很難兼顧高崩潰電壓(Breakdown voltage)和低導通電阻(Ron,ON-state Resistance)對結構的要求。雙重降低表面電場 (Double RESURF) LDMOSFET為Single RESURF LDMOSFET的一種改良版,藉由加大RESURF效果與提昇漂移區濃度,可以使得其元件性能高於Single RESURF LDMOSFET。Double RESURF LDMOSFET技術雖然可以在提高漂移區摻雜濃度近兩倍時仍能保持較高的崩潰電壓,從而改善了崩潰電壓和導通電阻的折衷關係。雖然改善了導通電阻,但是仍然沒有辦法更進一步去提高崩潰電壓,因此,在改善崩潰電壓上依然需要改進。
    本篇論文中設計多場環 (Multiple rings) LDMOSFET新結構,使漂移區更容易空乏,從而提高了崩潰電壓,並且也討論Multiple rings LDMOSFET的結構與製程參數,對於元件性能的影響,比較Multiple rings LDMOSFET與Single RESURF LDMOSFET和Double RESURF LDMOSFET的差異。借助Tsuprem-4和Medici,分析優化了元件的關鍵參數對崩潰電壓和導通電阻的影響,從而實現了元件的高崩潰電壓和低導通電阻的要求,可以很好地應用於各種高壓功率元件開發。
    最終,優化顯示,該元件於漂移區長度小於70μm,就可實現800V以上的崩潰電壓,200mohm-cm2以下的導通電阻。未來我們認為Multiple rings LDMOSFET是一個不錯代替Single RESURF LDMOSFET和Double RESURF LDMOSFET的選擇。另外,將Multiple rings的結構應用於其他的功率元件,也應具有研究價值與潛力。
    Appears in Collections:[資訊工程學系] 博碩士論文

    Files in This Item:

    File Description SizeFormat
    index.html0KbHTML896View/Open


    All items in ASIAIR are protected by copyright, with all rights reserved.


    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback